【陈星弼院士逝世】近日，中国半导体器件与微电子技术领域的杰出科学家、中国科学院院士、四川大学教授陈星弼先生因病医治无效，于2024年12月1日逝世，享年85岁。陈星弼院士一生致力于半导体物理与器件的研究，为中国微电子事业的发展作出了不可磨灭的贡献。
陈星弼院士生平简要总结：
陈星弼，1939年出生于江苏南京，1962年毕业于清华大学无线电系，后进入中国科学院半导体研究所工作。1980年赴美国加州大学伯克利分校留学，获博士学位。回国后长期在四川大学任教，曾任四川大学微电子研究所所长、中国电子学会副理事长等职。他在中国率先开展功率半导体器件研究，特别是在功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）领域取得了突破性成果，被誉为“中国功率半导体之父”。
陈星弼院士主要成就与贡献
| 项目 | 内容 |
| 学术研究 | 长期从事半导体器件与微电子技术研究，尤其在功率MOSFET领域取得重大突破 |
| 科研成果 | 提出并发展了多项新型半导体器件结构，推动了中国在该领域的自主创新能力 |
| 教育贡献 | 培养了大批微电子领域的高层次人才，为国家输送了大量科研骨干 |
| 社会职务 | 曾任中国电子学会副理事长、中国科学院院士、四川大学教授等重要职务 |
| 国际影响 | 在国际学术界享有较高声誉，多次受邀参加国际学术会议并发表演讲 |
陈星弼院士的逝世是中国科技界的重大损失。他一生坚守科研一线，淡泊名利，严谨治学，为中国的微电子事业奠定了坚实基础。他的精神和学术成就将继续激励后来者不断前行。